半导体器件快速温度变化试验

半导体器件快速温度变化试验

中科检测环境可靠性实验中心拥有各种半导体器件机械和气候试验设备，具备快速温度变化试验能力，为半导体器件、设备提供专业的快速温度变化试验服务。
我们的服务 专项服务 半导体器件快速温度变化试验

半导体器件快速温度变化试验 试验背景

半导体器件快速温度变化试验目的是测试产品反复承受温度极值的耐受力。温度剧烈变化可能会导致半导体器件：装配点或焊接点松动或脱落、使材料本身开裂、电子元器件性能发生变化、密封件失效造成泄漏。
中科检测环境可靠性实验中心拥有各种半导体器件机械和气候试验设备，具备快速温度变化试验能力，为半导体器件、设备提供专业的快速温度变化试验服务。

半导体器件快速温度变化试验 试验方式

样品应放于液槽中的合适位置，使液体在样品中间及周围的流动不受到阻碍。然后根据规定，使负载按规定的试验条件进行15次循环（对于模拟清洗应进行10次循环）。
为了进行器件批的加载或去载，或由于电源或设备故障，允许中断试验。然而，对任何给定的试验，若中断次数超过规定循环总次数的10% ，试验应重新开始。

半导体器件快速温度变化试验 试验标准

GB/T 4937.1-2006 半导体器件机械和气候试验方法 第1部分：总则
GB/T 4937.11-2018 半导体器件机械和气候试验方法 第11部分：快速温度变化 双液槽法
IEC 60749-11 ：2002 半导体器件机械和气候试验方法 第11 部分：快速温度变化 双液槽法

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