半导体器件键合强度试验

半导体器件键合强度试验

中科检测环境可靠性实验中心拥有各种半导体器件机械和气候试验设备，具备键合强度试验能力，为半导体器件、设备提供专业的键合强度试验服务。
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半导体器件键合强度试验 试验背景

引线键合是封装过程中一道关键的工艺，键合的质量好坏直接关系到整个封装器件的性能和可靠性，半导体器件的失效约有1/4～1/3是由芯片互连引起的，故芯片互连对器件长期使用的可靠性影响很大。
引线键合技术也直接影响到封装的总厚度。 半导体器件键合强度试验目的是测量键合强度或确定键合强度是否满足规定的要求， 适用于半导体器件（分立器件和集成电路）。
中科检测环境可靠性实验中心拥有各种半导体器件机械和气候试验设备，具备键合强度试验能力，为半导体器件、设备提供专业的键合强度试验服务。

半导体器件键合强度试验 试验方式

方法A和方法B：通过对内引线直接施加拉力来测试器件内部的键合强度；
方法C：用于器件外部的键合，在引线或引出端与布线板或基底之间施加拉脱应力；
方法D：用于内部键合，在芯片和基底之间或对类似的面键合结构施加剪切应力；
方法E和方法F：用于外部键合在芯片和基底之间施加推开应力或拉开应力；
方法G：用于测试引线键合抗剪切力的强度。

半导体器件键合强度试验 试验标准

GB/T 4937.1-2006 半导体器件机械和气候试验方法 第1部分：总则
IEC 60749- 22： 2002半导体器件机械和气候试验方法 第22部分：键合强度
GB/T 4937.22-2018 半导体器件机械和气候试验方法 第22部分：键合强度

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