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半导体器件内部易燃性试验 试验背景
半导体器件内部易燃性试验的目的是确定器件是否由于过负荷引起内部发热而燃烧。
中科检测环境可靠性实验中心拥有各种半导体器件机械和气候试验设备，具备内部易燃性试验能力，为半导体器件、设备提供专业的内部易燃性试验服务。
中科检测环境可靠性实验中心拥有各种半导体器件机械和气候试验设备，具备内部易燃性试验能力，为半导体器件、设备提供专业的内部易燃性试验服务。
半导体器件内部易燃性试验 试验方式
器件应不带散热片在大气中工作，并使其内部电功率耗散从最大额定值缓慢增加，直至出现下列任一状态：
a）内 部功率达到25°C时的最大额定功耗的5倍，在这种情况下，该功率应至少保持1 min；
b）器件开路、短路或者器件的阻值上升以致不能再进--步增加功耗的程度；
c）器件燃烧。
只有器件冒烟或燃烧时，才看作器件失效。
a）内 部功率达到25°C时的最大额定功耗的5倍，在这种情况下，该功率应至少保持1 min；
b）器件开路、短路或者器件的阻值上升以致不能再进--步增加功耗的程度；
c）器件燃烧。
只有器件冒烟或燃烧时，才看作器件失效。
半导体器件内部易燃性试验 试验标准
GB/T 4937.31 半导体器件机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）
IEC 60749- 31： 2003半导体器件机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）
GB/T 4937.1-2006 半导体器件机械和气候试验方法 第1部分：总则
IEC 60749- 31： 2003半导体器件机械和气候试验方法 第31部分：塑封器件的易燃性（内部引起的）
GB/T 4937.1-2006 半导体器件机械和气候试验方法 第1部分：总则
